ULSI相关论文
在器件的微细化、复杂化和结构三维化日趋提高的今天,化学机械抛光.(CMP)是ULSI多层布线制备中唯一能提供全局平面化的技术.本文综......
Chemical mechanical polishing (CMP) process is commonly regarded as the best method for achieving global planarization i......
一、引言近十几年来,半导体集成电路(IC)已从中小规模跨入了大规模(LSI)时代,并正迅速向超大规模(VLSI)、超超大规模(ULSI)推进。......
集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其......
日立的研究人员成功地展示了一种三端场效应器件,它比起传统的MOSFET器件,更能使硅晶体管达到较小的功能尺寸。 在日前的一次国际......
一、前言随着集成电路向VISI和ULSI方向发展，集成电路圆片不断增大，芯片面积也向着更大的趋势发展。鉴于IC电路性能是在“前工序”所......
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
The study is about the ULSI mosaic ......
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数 (low k)介质的需求 ,介绍了几种有实用价值的low k介质的研究和发展现况 ,最后评述了low k介质......
This paper presents a simple novel technique-forward gated-diode R-G current method-to determine the lateral lightly-do......
With the development of ULSI silicon technology, metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) devices are ......
采用给 PECVD Si O2 中注入氮的方法 ,形成一薄层氮氧化硅 ,以此作为一种新型的扩散阻挡层 .不同热偏压条件下的 C- V测试结果和 X......
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能......
对 ＵＬＳＩ制备中铜布线技术作了系统的介绍。对 ＣＭＰ相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述，并对目前存在问题及解决的......
The requirement of reduced RC delay and cross-talk for multilevel interconnect ULSI applications has enthusiastically d......
前言 国内微电子市场的持续增长,以及中国加入WTO,吸引了世界半导体产业界和投资者的关注,“十五”期间我国集成电路及半导体产业......
利用磁控溅射方法在表面有SiO2 层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜 ,采用X射线光电子能谱 (XPS)研究了SiO2 /Ta界面以及Ta5Si3 标准样品......
Si-based optoelectronics is becoming a very active research area due to its potential applications to optical communicat......
研究了不同厚度的超薄栅 1.9nm到 3.0 nm器件在恒压应力下的栅电流变化 .实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分 ,一部分是由界......
一、建设背景微电子是整个电子信息产业的基础,是一个国家综合实力的重要标志。在全球信息产业飞速发展、网络经济迅速兴起、知识......
基于2003ITRS、热阻经验公式、Elmore时延模型和三维集成电路互连模型,本文估算分析单栅SOI-CMOS三维集成电路的热阻θ,简介分析功......
IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面......
自1958年克萨斯仪器公司(TI)的基尔比等人研制发明了世界第一块集成电路以来,电子工业进入了集成电路(IC)的时代。经过40余年的发......
应用一个三层互连布线结构研究了诸多因素尤其是布线的几何构造对互连系统散热问题的影响,并对多种不同金属与介质相结合的互连布......
A closed-form model for the frequency-dependent per-unit-length resistance of trapezoidal cross-sectional interconnects ......
A signal processing method for the friction-based endpoint detection system of a chemical mechanical polishing(CMP) proc......
Relative Irradiance Measurement and Bonding Configurations of Amorphous Fluorinated Carbon Films Dep
a-C:F films are deposited by microwave electron cyclotron resonance (ECR)plasma chemical vapor deposition (CVD) using tr......
During the ultra large scale integration(ULSI)process,the surface roughness of the polished silicon wafer plays an impor......
We observed and analyzed the acid and HEBUT alkaline of Cu chemical mechanical polishing(CMP)slurry to evaluate their ef......
Chemical mechanical polishing (CMP) process is commonly regarded as the best method for achieving global planarization i......
The via interconnects are key components in ultra-large scale integrated circuits(ULSI).This paper deals with a new meth......
随着超大规模集成电路的发展,对新材料和新工艺提出了更多的要求,希望材料有类似金属的低电阻率,十分好的热稳定性,容易形成,不易......
Fluorinated amorphous carbon (a-C:F) thin film has been deposited by microwave electron cyclotron resonance plasma chemi......
Cu films of30nm and 15 nm thick were deposited on MgO(001) substrates at 185℃ by dc plasma-sputtering at 1.9kv and 8 m......
Low-k interconnection is one of the key concepts in the development of high-speed ultra-large-scale integrated(ULSI) cir......
With the progress of ULSI technology, materials with low dielectric constant are required to replac......
一、国外数字电路发展概况在数字电路二十年的进程中,始终朝着高密度、低功耗、高速度、低成本的方向发展. 高密度往往是反映集成......
日本三菱、索尼公司加速建设ＵＬＳＩ研究楼为了加速２５６ＭＤＲＡＭ商品化，日本三菱、索尼公司加紧建设开发２５６ＭＤＲＡＭ的ＵＬＳＩ研究楼。日本三菱电机公司于１９９３年春在兵库县伊丹......
The influences of the polishing slurry composition,such as the pH value,the abrasive size and its concentration,the disp......
一台用于集成电路制造的等离子体浸没离子注入反应装置(PⅢ:Plasma Immersion Ion Implantation)已研制成功。用此系统,实现了惰性......
本文详细地综述了美国蒙桑托公司和西德瓦克公司的用于VLSI及ULSI的硅片标准.其中包括几何参数、结构参数、化学参数和电学参数.
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硅片的标准化工作开始较早.早在1973年,美国半导体工业方面的一些组织和公司,就已致力于建立硅片的工业标准,1977年美国材料试验协......
本文报道了在那些可以进行特大规模集成(ULSI)的新一代微电子工厂中目前进行的满足用户要求的改进工作。并向读者介绍我们在实验设......
在1983年底国际电子器件会议(＇83IEDM)及1984年的国际团体电路会议(＇84ISSCC)上,发表了 IM位动态存贮器(DRAM)~[1 3]和 256K位 MOS......
